学术讲座
报告题目：纳米孪晶铜互连的电沉积制备与性能研究、芯片互连电阻率尺寸效应的建模和预测
报告时间：2026-03-12 10:00
报告人： 陈沛欣 博士后
申炜 博士生
上海交通大学
报告地点：翔安校区能源材料大楼3号楼会议室2
转播地点：思明校区化报厅103，漳州校区生化主楼307教室
报告摘要：
随着人工智能的快速发展，芯片中的互连密度不断提升，铜互连的电性能、力学性能与抗电迁移性能成为关键瓶颈问题。纳米孪晶铜具有高强度、低电阻、抗电迁移、热稳定的优异特性，成为下一代铜互连的潜在候选。本报告将系统介绍纳米孪晶铜的应用背景、结构与性能，重点关注纳米孪晶铜制备方法遇到的关键难题，并介绍本课题组在纳米孪晶铜取向调控、纳米孪晶形成机理方面的研究工作。
在先进技术节点芯片制造中，互连线电阻率的剧烈上升成为限制尺寸微缩的瓶颈。近年来，其解决方案从几何结构优化、提高导电面积的思路，转换为新材料互连。许多材料在纳米尺度下比电阻率增长趋势比铜更为缓和，目前的核心挑战之一在于如何制备接近理想性能的新互连材料。然而，理想性能预测的准确与否同样是关键的问题，可惜许多深刻的见解并未受到学术界的重视。我的报告将介绍尺寸效应的物理模型和性能预测方法之间的联系，解释目前互连材料的预测潜在的风险，并以金属应变状态-电阻率尺寸效应关系为例，说明应变应作为互连材料预测和互连性能优化的考虑因素。
报告人简介：
陈沛欣：上海交通大学电子材料与技术研究所博士后，合作导师为杭弢教授，研究方向为芯片互连材料。本科、博士均毕业于上海交通大学，博士导师为李明教授。曾赴日本东北大学访问，从事芯片级混合键合的研究。累计发表论文25篇，以第一作者身份在Acta Materialia、Journal of Materials Science & Technology等期刊上发表文章。曾获博士生国家奖学金、上海交通大学致远荣誉博士学位。
申炜：上海交通大学电子材料与技术研究所博士生，导师为杭弢教授。入选上海交通大学博士生致远荣誉计划。研究方向为芯片互连的微观结构-电阻率关联。
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