名师讲座
报告题目：功能导向的二维材料原子级制备机理
报告时间：2026-02-02 10:00
报告人： 董际臣 研究员
中国科学院化学研究所
报告地点：卢嘉锡楼202报告厅
转播地点：翔安校区能源材料大楼3号楼会议室3，漳州校区生化主楼307教室
报告摘要：
二维材料独特的结构及量子限域效应使该类材料在信息与能源等领域具有广泛的应用前景。化学气相沉积(CVD)是大规模制备二维材料最有前景的方法之一，然而由于二维材料与衬底、二维材料层内、二维材料层间三类相互作用之间存在巨大差异，传统的半导体薄膜外延生长模型并不适用于二维材料的CVD。另外，二维材料的构成元素与晶格结构众多，二维材料的设计亦成为该领域的研究前沿。报告人将从多尺度理论模拟的角度讲述在二维材料设计及二维材料CVD制备机理方面取得的一些研究进展，包括: (i) 多尺度模拟方法开发；(ii) 二维材料形核与生长机制；(iii) 二维材料的设计与物性调控。
报告人简介：
董际臣，分别于2010、2013年在山东大学获得理学学士与工学硕士学位，2016年于香港城市大学获得博士学位，2016-2020年于韩国基础科学研究院博士后，2020年11月加入中国科学院化学研究所，任研究员。通过结合凝聚态物理、材料计算及表面物理化学研究方法，发展了二维原子晶体材料CVD多尺度模拟方法,系统揭示了二维原子晶体的制备机理，探索了二维原子晶体的结构设计与物性调控，实现了高质量与高性能二维材料的可控制备。已在SCI期刊发表论文80余篇，近5年以第一/共一及(共同)通讯作者发表论文20篇，包括Nat. Synth.、Nat. Commun.(3篇)、PNAS、Angew. Chem. Int. Ed.(2篇)、Adv. Mater.(3篇)、ACS Nano(2篇)、Adv. Funct. Mater.(2篇)、Chem. Rev.等。论文SCI引用3700余次，H指数32。
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表界面化学全国重点实验室
